ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2

Андрій  Бурченя; Сергій Іванченко; Валентин Лисаковський; Тетяна Коваленко; Олег Заневській; Сергій Івахненко

Андрій Бурченя Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сергій Іванченко Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Валентин Лисаковський Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Тетяна Коваленко Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Олег Заневській Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сергій Івахненко Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України

Ключові слова: алмаз, монокристал, швидкість росту, кінетика, кристалізація, домішки, дефекти, алмазні пластини, CVD-процеси.

Анотація

Досліджено методи отримання структурно досконалих монокристалів алмазу, які за формою та розмірами дозволяють виготовлення алмазні пластини площею до 100 мм² та подальшого використання як ініціюючих CVD-кристалізацію алмазних поверхонь.

Розроблено ростові комірки для отримання монокристалічних зразків великого об’єму шляхом НТНР-кристалізації в області термодинамічної стабільності; оптимізовані склади ростових систем для отримання кристалів типу Ib на базі розчинників Fe-Ni, Fe-Co та Fe-Co-Mg.

Розроблено методи для проведення операцій механічного розколювання, розпилювання та шліфування в залежності від габітусної форми кристалів, наявності та розташування дефектів структури; випробувано їх використання для виготовлення пластин необхідної форми та кристалографічної орієнтації з метою їх застосування в якості ініціюючих підкладинок для проведення CVD-процесів кристалізації алмазу.

Результати досліджень, виконаних в результаті проведення роботи, мають бути застосовані для CVD-осадження вуглецю для отримання алмазних поверхонь з метою використання як ініціюючих кристалізацію при одержані плівок.