ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ТА ЗНОСОСТІЙКОСТІ МАТЕРІАЛІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SІC – VC, ОТРИМАНИХ ЕЛЕКТОІСКРОВИМ СПІКАННЯМ

Вячеслав  Івженко; Едвiн Геворкян; Володимир Чишкала; Василь Ткач; Тамара Косенчук; Наталія Шамсутдінова; Сергій Старiк

Вячеслав Івженко Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Едвiн Геворкян Український державний університет залізничного транспорту
Володимир Чишкала Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Василь Ткач Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України https://orcid.org/0009-0001-0239-4838
Тамара Косенчук Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України https://orcid.org/0009-0009-8181-6039
Наталія Шамсутдінова ТОВ «ПЛАЗМАТЕК»
Сергій Старiк Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України https://orcid.org/0000-0003-1991-3275

Ключові слова: карбід кремнію, карбід титану, карбід ванадію, електроіскрове спікання, температура, тиск, структура, пористість, зносостійкість.

Анотація

Досліджено вміст вуглецю в вихідних порошках і включеннях карбідів титану та ванадію в композитах SiС–TiС, SiС–VС, отриманих електроіскровим спіканням при температурі 2000^оС, тиску 45 МПа, витримці 30 хв. Встановлено, що вміст вуглецю у включеннях карбіду ванадію в композиті SiC-VC більше, ніж вміст вуглецю в вихідному порошку VC на ~85%. Досліджено вплив вмісту карбідів титану і ванадію на пористість композитів. Встановлено, що пористість композитів зменшується з 30,4% в карбіді кремнію до 0,1% при концентрації карбіду титану в вихідній шихті 40 об.% і до 1,3% при концентрації карбіду ванадію в вихідній шихті 40 об.%. Досліджено вплив вмісту карбідів титану і ванадію на зносостійкість композитів. Встановлено, що при вмісту 40 об.% карбідів титану і ванадію в вихідній шихті в композитах, спечених при 2000^оС, витримці 30 хв., зносостійкість практично однакова і становить 16-17. Зносостійкість композитів SiC-TiC, спечених при 1900, 2000^оС, підвищується при збільшенні витримки до 30 хв. і зменшується при збільшенні витримки до 45 хв. Зносостійкість композитів SiC-VC, спечених при 1900, 2000^оС, підвищується в інтервалі 15-45 хв. витримки.