ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ

  • A. C. Ніколенко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • I. M. Даниленко Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
  • B. B. Стрельчук Інститут фізики напівпровідників ім. В.Е. Лашкарьова НАН України
  • O. O. Шульженко Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України
  • O. M. Соколов Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України
  • В. Г. Гаргін Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України
  • O. B. Савіцький Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України
  • B. B. Лисаковський Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України
Ключові слова: монокристал алмазу, структурно-домішковий стан, раманівська спектроскопія, інфрачервона спектроскопія, ультрафіолетова спектроскопія, теплопровідність, електроопір

Анотація

Вивчено оптичними методами структурно-домішковий стан монокристалів алмазу типу ІІа і Іb, одержаних методом Т-градієнту в НРНТ умовах, визначено їх теплопровідність і електроопір.

Встановлено для зразка типу IIа значне пропускання в ультрафіолетовій (УФ) області спектру з краєм пропускання від 221 нм, що говорить про високий ступінь структурної досконалості кристала. Зразок типу Ib є непрозорим в УФ області, незначне пропускання реєструється в області від 290 нм з різким краєм пропускання поблизу 450 нм. В області довжин хвилі 800–1100 нм обидва зразки демонструють пропускання на рівні ~73%. Вимірюванням теплопровідності зразків визначено, що зразок монокристалу алмазу типу IIa має теплопровідність 1804± 36 Вт/(м×К), а зразок монокристалу алмазу типу Ib – відповідно 948 ± 47 Вт/(м×К). Електричний опір пластини алмазу типу IIa складає rs = 1,3·1011 Ом·см, а для пластини типу Ib (жовтої) був за межами діапазону вимірювань (rs >1012 Ом·см).

Опубліковано
2022-02-11
Розділ
Інструментальні, конструкційні та функціональні матеріали на основі алмазу і куб