Влияние теплопроводности прекурсоров и их растворителей на тепловое состояние ячейки аппарата высокого давления при кристаллизации полупроводниковых соединений системы AIIIBV

Аннотация

За допомогою комп’ютерного моделювання досліджено тепловий стан комірки апарата високого тиску (АВТ), призначеної для вирощування кристалів InGaN. Розглянуто три типи розчинників: Fe, Fe₃N та CoCr. Проаналізовано вплив використання підкладки з Al₂O₃ на розподіл температури та градієнта температури в комірці. Встановлено, що застосування підкладки з Al₂O₃ зменшує значення ΔT_max, ΔT_z та gradT для всіх розглянутих випадків. Мінімум неоднорідності температурних полів досягається при використанні розчинника CoCr у поєднанні з підкладкою Al₂O₃ (ΔT_max = 45 °С, ΔT_z = 15 °С; gradT = 0,1–6,8 °С/мм). У випадку використання розчинника Fe₃N необхідно модернізувати електрорезистивну систему АВТ, оскільки за розрахунками gradT перевищує 10 °С/мм.