ПОЛІЕДРИЧНІ ФОРМИ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ З РОЗВИНУТИМИ ГРАНЯМИ ТЕТРАГОНТРИОКТАЕДРА

Тетяна Коваленко; Петро  Литвин; Валентин  Лисаковський; Сергій  Івахненко; Олег  Заневський; Віктор  Стрельчук; Андрій  Ніколенко

Тетяна Коваленко Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Петро Литвин Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Валентин Лисаковський Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сергій Івахненко Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Олег Заневський Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Віктор Стрельчук Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Андрій Ніколенко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Аннотация

Досліджено процес росту монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності при високих тисках 6 – 6,5 ГПа та температурах 1300 – 1500 ^оС (НРНТ-кристалізація) шляхом розчин-розплавної кристалізації на затравках. Показано, що при використанні розчинників Fe-Co-Ti-Cu утворюються поліедричні форми з розвитком граней {311} до 50 – 57 % від загальної площі поверхні кристала. Вивчені особливості кристалізації алмазів тетрагонтриоктаедричного габітусу з застосуванням апаратури високого тиску ТС40, отримано структурно досконалі кристали масою 1,97 – 3,75 карат в циклах вирощування тривалістю 96 – 168 годин. Для дослідження особливостей формоутворення кристалів і акцесоріїв росту поверхні в залежності від умов вирощування використано фотограмметрію та означено перспективу практичного використання результатів для створення алмазних напівпровідників при легуванні секторів росту {311} електрично активними домішками.